半导体工艺化学实验报告
实验名称：硅片的清洗
实验目的：1.熟悉清洗设备
2.掌握清洗流程以及清洗前预准备
实验设备：1.半导体兆声清洗机（SFQ-1006T）
2.SC-1；SC-2
实验背景及原理：
清洗的目的在于清除表面污染杂质，包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态，有的`以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面。有机污染包括光刻胶、有机溶剂残留物、合成蜡和人接触器件、工具、器皿带来的油脂或纤维。无机污染包括重金属金、铜、铁、铬等，严重影响少数载流子寿命和表面电导；碱金属如钠等，引起严重漏电；颗粒污染包括硅渣、尘埃、细菌、微生物、有机胶体纤维等，会导致各种缺陷。清除污染的方法有物理清洗和化学清洗两种。
我们这里所用的的是化学清洗。清洗对于微米及深亚微米超大规模集成电路的良率有着极大的影响。SC-1及SC-2对于清除颗粒及金属颗粒有着显著的作用。
实验步骤：
1. 清洗前准备工作：
仪器准备：
①烧杯的清洗、干燥
②清洗机的预准备：开总闸门、开空气压缩机；开旋转总电源（清洗设备照明自动开启）； 将急停按钮旋转拉出，按下旁边电源键；缓慢开启超纯水开关，角度小于45o；根据需要给1#、2#槽加热，正式试验前提前一小时加热，加热上限为200o。本次实验中选用了80℃为反应温度。
③SC-1及SC-2的配置：
我们配制体积比例是1:2:5，所以选取溶液体积为160ml，对SC-1 NH4OH：H2O2：H2O=20:40:100ml，对SC-2 HCl：H2O2：H2O=20:40:100ml。
2. 清洗实际步骤：
① 1#号槽中放入装入1号液的烧杯，待温度与槽中一样后，放入硅片，加热10min,然后超纯水清洗。
② 2#号槽中放入装入2号液的烧杯，待温度与槽中一样后，放入硅片，加热10min,然后超纯水清洗。
③ 兆声清洗10分钟，去除颗粒
④ 利用相似相溶原理，使用乙醇去除有机物，然后超纯水清洗并吹干。
实验结果：
利用显微镜观察清洗前后硅片图像表面
清洗前硅片照片
清洗后的硅片照片
实验总结：
清洗过后明显地发现硅片表面不像原来那样油腻，小颗粒明显减少。说明我们此次使用实验方法是正确的，实验结果较为成功。
推荐文章
河南高考排名243480左右排位理科可以上哪些大学,具体能上什么大学2024-05-24 12:41:37
广西高考排名212400左右排位理科可以上哪些大学,具体能上什么大学2024-05-24 12:37:48
广东高考排名85850左右排位物理可以上哪些大学,具体能上什么大学2024-05-24 12:34:24
陕西高考排名150120左右排位理科可以上哪些大学,具体能上什么大学2024-05-24 12:30:12
福建高考排名3220左右排位历史可以上哪些大学,具体能上什么大学2024-05-24 12:26:10
河北高考排名114880左右排位物理可以上哪些大学,具体能上什么大学2024-05-24 12:22:31
古诗文启蒙教育特色建设阶段姓成果展示方案2023-08-21 14:49:51
大学生元旦晚会策划活动方案（通用六篇）2023-08-11 03:26:36
班级秋游策划活动方案范文（精选9篇）2023-08-19 22:34:24
教科室春季科研工作计划2023-08-14 02:15:07
大学生职业规划计划书参考范文2023-08-23 19:57:03
精选关于食品安全调查报告2023-08-14 17:33:30
粟昌贵国培计划校本研修磨课总结报告2023-08-13 10:39:26
工程技术部述职报告2023-08-26 11:07:25
在幼儿园的暑假工作实践报告范文2023-08-23 20:56:38
大学生消费状况调查报告模板2023-08-27 12:58:35
